患者女性、23岁,主因“发作性左侧肢体抽搐19年”入院。既往史、家族史无特殊，神经系统查体未见明显异常。癫痫发作主要表现为发作性左上肢阵挛，持续约半分钟，偶有上下肢同时阵挛。先后服用多种抗癫痫药物，均不能有效控制发作。术前，服用卡马西平200mg 3/日，左乙拉西坦500mg 2/日，仍有发作4-5次/日，以夜间居多。

视频脑电图示：发作间期、发作期脑电均提示癫痫灶位于右侧中央区，发作症状学亦提示癫痫起源灶位于右侧中央区。

头颅MRI示：右侧中央沟沟底局灶性皮层发育不良（FCD）。PET提示局部低代谢。（图1、2）

图1  头颅MRI示右侧中央沟沟底灰白质交界不清，Flair高信号，PET显示代谢减低

图2  3维重建显示，病灶位于中央沟沟底

患者属于药物难治性癫痫，同时服用两种药物，仍不能控制癫痫发作，每日仍有4-5次发作。根据症状学、电生理、影像学等，患者癫痫灶定位明确，右侧中央沟底FCD为癫痫灶。但该病灶位于重要功能区，如手术强性切除，患者必将出现永久性偏瘫。综合考虑后，为患者选择了立体定向脑电图（SEEG）射频热凝毁损病灶。SEEG射频热凝是近年来用于临床的微创治疗技术，通过一约2mm的微创小孔将脑深部电极精准插入颅内病变部位，记录脑电并行Mapping刺激，确认病变为致痫灶后，给电极通一低能量高频电，使电极周围约2-3mm局部小范围内产热，将病灶热凝毁损，可以把对正常脑组织的影响降至最小。根据患者病变形态及周围脑组织、血管情况，设计个体化电极植入方案，共计植入7根电极（图3、4）。

                                              图3个体化电极植入方案，可视化避开血管，覆盖病变

图4 电极覆盖病变全境

通过立体定向头架精准植入电极，记录脑电，发作间期病灶区见大量极高波幅棘慢、多棘慢波放电（图5）。发作期发作从E、A、B连续棘波起始（图6）。

                                                     图5 发作间期病灶区见大量极高波幅棘慢、多棘慢波放电

图6 发作期发作从E、A、B连续棘波起始

给予局部小电流刺激，可见手指运动等功能，进一步病灶位与手运动区关系密切，如手术切除病灶，必然会带来运动区损伤，造成瘫痪等严重后果。根据脑电结果，逐步毁损致痫灶，毁损后，发作间期放电显著减少（图7），发作完全控制,无明显神经功能障碍（图8）。

                                 图7 热凝后，发作间期放电显著减少

                                                         图8 无明显神经功能障碍